MRF586

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

Bipolare

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

NPN

Guadagno base/collettore DC hfe min:

50

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

17 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

2.5 V

Corrente continua del collettore:

200 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92

Confezione:

Vassoio

Frequenza operativa:

500 MHz

Tipo:

Segnale bipolare RF di piccole dimensioni

Marca:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

MRF58, MRF5, MRF