DMN61D8LVT-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOT-26-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

630 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.1 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

740 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.09 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN61

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

80 mS

Tempo di caduta:

440 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

301 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

582 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

131 ns

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