PN4209

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

15 V

Collettore-tensione di base VCBO:

15 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

4.5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.6 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

850 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

PN4209

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120 at 10 mA, 300 mV

Confezione:

Massa

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

200 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

35 at 1 mA, 500 mV

Pd - Dissipazione di potenza:

625 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

PBFREE PN4209

Tags

PN42, PN4