TSM6502CR RLG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PDFN56-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.4 A, 4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

28 mOhms, 73 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V, - 4.5 V

Qg - Carica cancello:

20.8 nC, 9.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

40 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Tempo di caduta:

18 ns, 44 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25 ns, 28 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

18 ns, 44 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.4 ns, 4 ns

Tags

TSM650, TSM65, TSM6, TSM