BSC072N03LDGATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TDSON-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6 mOhms, 6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

41 nC, 41 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

57 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.27 mm

Lunghezza:

5.9 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

5.15 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

28 S, 28 S

Tempo di caduta:

4 ns, 4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns, 4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

25 ns, 25 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns, 6 ns

Parte # Alias:

BSC072N03LD BSC72N3LDGXT G SP000359607

Unità di peso:

0.003425 oz

Tags

BSC072N03LDG, BSC072N03, BSC072N0, BSC072, BSC07, BSC0, BSC