NP36P04SDG-E1-AY

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Renesas Elettronica

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

36 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

17 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1200 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.3 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

6.1 mm

Marca:

Renesas Elettronica

Tempo di caduta:

140 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

250 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns

Unità di peso:

0.011993 oz

Tags

NP36P04SDG-E, NP36P04S, NP36P04, NP36P, NP36, NP3