FQS4900TF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V, 300 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

550 mOhms, 15.5 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Serie:

FQS4900

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

1.7 S, 0.6 S

Tempo di caduta:

17 ns, 47 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

21 ns, 25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

11 ns, 35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.7 ns, 10 ns

Unità di peso:

0.008127 oz

Tags

FQS4900, FQS49, FQS4, FQS