PSMN102-200Y,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

LFPAK56-5

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

200 V

Id - Corrente di scarico continua:

21.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

102 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

113 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

5 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.1 mm

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

28 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

29.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

33 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14.2 ns

Unità di peso:

0.003037 oz

Tags

PSMN102-2, PSMN10, PSMN1, PSMN, PSM