CZT853 TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

200 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

340 mV

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

190 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

CZT853

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300 at 2 A, 2 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

6 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20 at 10 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

3 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

CZT853 PBFREE TR

Tags

CZT8, CZT