NVMFD5875NLT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-5x6-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

22 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

27 mOhms, 27 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

20 nC, 20 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

32 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

7 S, 7 S

Tempo di caduta:

2.4 ns, 2.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.4 ns, 6.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

14.5 ns, 14.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.9 ns, 4.9 ns

Unità di peso:

0.004797 oz

Tags

NVMFD5875, NVMFD587, NVMFD58, NVMFD, NVMF, NVM