BSL316CH6327XTSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.4 A, 1.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

119 mOhms, 113 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V, 2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

600 pC, - 2.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

2.3 S, 2.7 S

Tempo di caduta:

1 ns, 7.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.3 ns, 6.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

5.8 ns, 14.3 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.4 ns, 5 ns

Parte # Alias:

BSL316C H6327 SP001101010

Unità di peso:

0.000522 oz

Tags

BSL316CH, BSL316, BSL31, BSL3, BSL