BCW 66KG E6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

45 V

Collettore-tensione di base VCBO:

75 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.8 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

170 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BCW66

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

BCW66KGE6327HTSA1 BCW66KGE6327XT SP000271904

Unità di peso:

0.000282 oz

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