2SA1417S-TD-E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-62-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 120 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.22 V

Corrente massima del collettore CC:

- 3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

120 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SA1417

Guadagno di corrente CC hFE Max:

400

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

- 2 A

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Tags

2SA1417, 2SA141, 2SA14, 2SA1, 2SA