PMDPB85UPE,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-2020-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

82 mOhms, 82 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

950 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

8.1 nC, 8.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.17 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Marca:

Nexperia

Transconduttanza diretta - Min:

6 S, 6 S

Tempo di caduta:

21 ns, 21 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

12 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

47 ns, 47 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns, 6 ns

Tags

PMDPB85, PMDPB8, PMDPB, PMDP, PMD