IPA028N08N3 G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220FP-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

89 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

206 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

42 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Tubo

Altezza:

16.15 mm

Lunghezza:

10.65 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.85 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

89 S

Tempo di caduta:

26 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

59 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

77 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

30 ns

Parte # Alias:

IPA028N08N3GXKSA1 IPA28N8N3GXK SP000446770

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

IPA028N08N3G, IPA028, IPA02, IPA0, IPA