FS150R17KE3G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

N

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Configurazione:

Esadecimale

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1700 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

240 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

400 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

1.05 kW

Pacchetto/custodia:

EconoPACK+

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 125 C

Confezione:

Vassoio

Altezza:

17 mm

Lunghezza:

162 mm

Larghezza:

150 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

4

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

FS150R17KE3GBOSA1 SP000101750

Tags

FS150R17K, FS150R17, FS150R1, FS150R, FS150, FS15, FS1