SSM3J64CTC,L3F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

CST3C-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 12 V

Id - Corrente di scarico continua:

- 1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

370 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 0.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 4.5 V

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

SSM3J64CTC

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

1250 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

160 ns

Tags

SSM3J6, SSM3J, SSM3, SSM