MJW21191

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

150 V

Collettore-tensione di base VCBO:

150 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2 V

Corrente massima del collettore CC:

8 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

40 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

21.08 mm (Max)

Lunghezza:

16.26 mm (Max)

Confezione:

Tubo

Larghezza:

5.3 mm (Max)

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

8 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

15

Pd - Dissipazione di potenza:

125 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

MJW21191, MJW21, MJW2, MJW