SSM6N7002CFU,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

170 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.9 Ohms, 3.9 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

0.27 nC, 0.27 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

285 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Serie:

SSM6N7002

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

24 ns, 24 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns, 3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

7 ns, 7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2 ns, 2 ns

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

SSM6N7, SSM6N, SSM6, SSM