ZXTNS618MCTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN3020B-8

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

20 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

8 mV

Corrente massima del collettore CC:

12 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

140 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ZXTNS61

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

4.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200 at 10 mA, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1.2 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

ZXTN, ZXT