ALD910018SAL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Dispositivi lineari avanzati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

10.6 V

Id - Corrente di scarico continua:

80 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

14 GOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.78 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10.6 V

Temperatura di esercizio minima:

0 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 70 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Dispositivi lineari avanzati

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

10 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Unità di peso:

0.002998 oz

Tags

ALD91001, ALD91, ALD9, ALD