SSM6L12TU,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

UF-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V, 20 V

Id - Corrente di scarico continua:

500 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

120 mOhms, 210 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV, 1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

SSM6L12TU

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

1 S, 0.65 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns, 15 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns, 16 ns

Unità di peso:

0.000247 oz

Tags

SSM6L1, SSM6L, SSM6, SSM