CSD17553Q5A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

VSONP-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

60 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

17.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3.1 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

6 mm

Serie:

CSD17553Q5A

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.9 mm

Marca:

Texas Instruments

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tags

CSD1755, CSD175, CSD17, CSD1, CSD