CJD350 TR13 TIN/LEAD

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DPAK-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

300 V

Collettore-tensione di base VCBO:

300 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

3 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.6 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

10 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

CJD3

Guadagno di corrente CC hFE Max:

240 at 50 mA, 10 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

500 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30 at 50 mA, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1.56 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Nome depositato:

Potenza DPAK

Tags

CJD350T, CJD350, CJD35, CJD3, CJD