2N6990/TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-86-14

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Quad

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

75 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1 V

Corrente massima del collettore CC:

800 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

325 at 1 mA, 10 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Microchip / Microsemi

Guadagno base/collettore DC hfe min:

50 at 1 mA, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

transistor

Tags

2N6990, 2N699, 2N69, 2N6