SSM6P35AFU,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 20 V

Id - Corrente di scarico continua:

- 250 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.4 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 0.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 4.5 V

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

285 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

SSM6P35AFU

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

145 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

42 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

420 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

17 ns

Tags

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