RUM003N02T2L

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

VMT-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

300 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

300 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4 V

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.5 mm

Lunghezza:

1.2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

RUM003N02

Tipo di transistor:

1 N-Channel MOSFET

Larghezza:

0.8 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns

Parte # Alias:

RUM003N02

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

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