IRF60DM206

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DirectFET-ME

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

130 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

133 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

96 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

StrongIRFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.7 mm

Lunghezza:

6.35 mm

Larghezza:

5.05 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

148 S

Tempo di caduta:

30 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

32 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

60 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

17 ns

Parte # Alias:

SP001561876

Tags

IRF60D, IRF60, IRF6, IRF