NSS12600CF8T1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

1206A

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 12 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 12 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 140 mV

Corrente massima del collettore CC:

5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

1.05 mm

Lunghezza:

3.05 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.65 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

- 5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

250

Pd - Dissipazione di potenza:

830 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

NSS12, NSS1, NSS