AFV10700HR5

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Doppio canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

2.6 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 500 mV, 105 V

Guadagno:

19.2 dB

Potenza di uscita:

700 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

NI-780H-4

Confezione:

Bobina

Frequenza operativa:

1030 MHz to 1090 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

Semiconduttori NXP

Numero di canali:

2 Channel

Pd - Dissipazione di potenza:

526 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.3 V

Parte # Alias:

935346523178

Unità di peso:

0.227047 oz

Tags

AFV10700H, AFV10, AFV1, AFV