RHP020N06T100

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

200 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

7 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

4.5 mm

Serie:

RHP020N06

Tipo di transistor:

1 N-Channel MOSFET

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

18 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns

Parte # Alias:

RHP020N06

Unità di peso:

0.004603 oz

Tags

RHP020, RHP02, RHP0, RHP