IRFIB41N15DPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

41 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

45 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

72 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

200 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

15.65 mm

Lunghezza:

10 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza HEXFET

Larghezza:

4.4 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

63 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

25 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

16 ns

Parte # Alias:

SP001572654

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

IRFIB4, IRFIB, IRFI, IRF