TN0106N3-G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

350 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Massa

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.21 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

FET

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

Tecnologia a microchip

Transconduttanza diretta - Min:

225 mS

Tempo di caduta:

3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2 ns

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

TN0106N3-G, TN0106N, TN0106, TN010, TN01, TN0