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2SC5810(TE12L,F)

2SC5810(TE12L,F)
Mfr. #:
2SC5810(TE12L,F)
Produttore:
Toshiba
Descrizione:
Bipolar Transistors - BJT Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
2SC5810(TE12L,F) Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Toshiba
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - BJT
RoHS:
Y
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
SC-62-3
Polarità del transistor:
NPN
Configurazione:
Separare
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
50 V
Collettore-tensione di base VCBO:
100 V
Emettitore-tensione di base VEBO:
7 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:
0.17 V
Corrente massima del collettore CC:
1 A
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Serie:
2SC5810
Confezione:
Bobina
Marca:
Toshiba
Tipologia di prodotto:
BJT - Transistor bipolari
Quantità confezione di fabbrica:
1000
sottocategoria:
transistor
Tags
2SC5810, 2SC581, 2SC58, 2SC5, 2SC
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
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Packaging Boxes
***p One Stop Japan
Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
***i-Key
TRANS NPN 50V 1A SC-62
***S
new, original packaged
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
2SC5810(TE12L,F)
DISTI # 30604799		Toshiba America Electronic ComponentsTrans GP BJT NPN 50V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
RoHS: Compliant		4310
  • 1000:$0.1836
  • 500:$0.2142
  • 100:$0.2410
  • 85:$0.2550
2SC5810(TE12L,F)
DISTI # C1S751201084055		Toshiba America Electronic ComponentsTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
RoHS: Compliant		2300
  • 2000:$0.5540
  • 1000:$0.5680
  • 500:$0.6780
  • 100:$0.7100
2SC5810(TE12L,F)
DISTI # C1S751201064264		Toshiba America Electronic ComponentsTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
RoHS: Compliant		4310
  • 4000:$0.1390
  • 1000:$0.1440
  • 500:$0.1680
  • 100:$0.1890
  • 50:$0.2000
  • 10:$0.2380
2SC5810(TE12L,F)
DISTI # 757-2SC5810TE12LF		Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - BJT Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns
RoHS: Compliant		0
    2SC5810(TE12L,F)Toshiba America Electronic Components 1257
      Immagine Parte # Descrizione
      2SC5810(TE12L,F)

      Mfr.#: 2SC5810(TE12L,F)

      OMO.#: OMO-2SC5810-TE12L-F-

      		 Bipolar Transistors - BJT Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns
      2SC5810(TE12L,F)

      Mfr.#: 2SC5810(TE12L,F)

      OMO.#: OMO-2SC5810-TE12L-F--122

      		 Bipolar Transistors - BJT Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns
      2SC5810(TE12L

      Mfr.#: 2SC5810(TE12L

      OMO.#: OMO-2SC5810-TE12L-1190

      		 Nuovo e originale
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      Azione:
      Available
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