SH8M12TB1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

5 A, 4.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

30 mOhms, 40 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V, 2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

4 nC, 8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

5 ns, 50 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

27 ns, 15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26 ns, 70 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns, 7 ns

Tags

SH8M12, SH8M1, SH8M, SH8