MCH6601-TL-E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10.4 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

1.43 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

800 mW

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Serie:

MCH6601

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Tempo di caduta:

130 nS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

55 nS

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

120 nS

Tempo di ritardo di accensione tipico:

24 nS

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

MCH6601, MCH660, MCH66, MCH6, MCH