BCW 66KH E6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

45 V

Collettore-tensione di base VCBO:

75 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.45 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

170 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BCW66

Guadagno di corrente CC hFE Max:

630

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente continua del collettore:

800 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

250

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

BCW66KHE6327HTSA1 BCW66KHE6327XT SP000271906

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

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