PMN42XPEAH

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 20 V

Id - Corrente di scarico continua:

- 5.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

46 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 1.25 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

17.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1310 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Nexperia

Transconduttanza diretta - Min:

12.5 S

Tempo di caduta:

27 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

27 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

33 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

17 ns

Tags

PMN42XPEA, PMN42, PMN4, PMN