NJL4281DG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

350 V

Collettore-tensione di base VCBO:

350 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

15 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

35 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

25.98 mm

Lunghezza:

19.89 mm

Larghezza:

4.89 mm

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80

Pd - Dissipazione di potenza:

230000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.352740 oz

Tags

NJL42, NJL4, NJL