DMT6018LDR-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

V-DFN3030-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, NPN

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

13 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

13.9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.9 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

3.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

10.8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.5 ns

Tags

DMT601, DMT60, DMT6, DMT