ALD111933SAL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Dispositivi lineari avanzati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

10 V

Id - Corrente di scarico continua:

6.9 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

500 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.25 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10.6 V

Temperatura di esercizio minima:

0 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 70 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

ALD111933S

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Marca:

Dispositivi lineari avanzati

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

10 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Unità di peso:

0.002998 oz

Tags

ALD11193, ALD1119, ALD111, ALD11, ALD1, ALD