BFR 193W E6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

Bipolare

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

NPN

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

12 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

2 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323

Confezione:

Bobina

Collettore-tensione di base VCBO:

20 V

Guadagno di corrente CC hFE Max:

70 at 30 mA at 8 V

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Frequenza operativa:

8000 MHz

Tipo:

Segnale bipolare RF di piccole dimensioni

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente massima del collettore CC:

0.08 A

Pd - Dissipazione di potenza:

580 mW

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

BFR193WE6327XT

Unità di peso:

0.002116 oz

Tags

BFR193WE, BFR193W, BFR193, BFR19, BFR1, BFR