2N7002PSZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

320 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.6 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

0.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

420 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Marca:

Nexperia

Transconduttanza diretta - Min:

400 mS

Tempo di caduta:

5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

10 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3 ns

Tags

2N7002PS, 2N7002P, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7