MPS6602RLRAG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

45 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

4 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.6 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

5.33 mm (Max)

Lunghezza:

5.2 mm (Max)

Confezione:

Bobina

Larghezza:

4.19 mm (Max)

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

0.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

50

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

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