NVMFS5C450NLT3G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-5

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

110 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.3 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

68 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Tags

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