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SI7900AEDN-T1-GE3

SI7900AEDN-T1-GE3
Mfr. #:
SI7900AEDN-T1-GE3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 8.5A 3.1W 26mohm @ 4.5V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SI7900AEDN-T1-GE3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
SI7900AEDN-T1-GE3 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
VISHAY
categoria di prodotto
FET - Array
Serie
TrinceaFETR
Confezione
Imballaggio alternativo Digi-ReelR
Alias ​​parziali
SI7900AEDN-GE3
Stile di montaggio
SMD/SMT
Nome depositato
TrenchFET/PowerPAK
Pacchetto-Custodia
PowerPAKR 1212-8 Dual
Tecnologia
si
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Numero di canali
2 Channel
Pacchetto-dispositivo-fornitore
PowerPAKR 1212-8 Dual
Configurazione
Dual
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Potenza-Max
1.5W
Tipo a transistor
2 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
20V
Ingresso-Capacità-Ciss-Vds
-
Funzione FET
Porta livello logico
Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C
6A
Rds-On-Max-Id-Vgs
26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
900mV @ 250μA
Gate-Carica-Qg-Vgs
16nC @ 4.5V
Pd-Power-Dissipazione
1.5 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
1300 ns
Ora di alzarsi
1300 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
12 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
6 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
20 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
26 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
8600 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
850 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
SI7900AEDN-T1, SI7900AEDN-T, SI7900AE, SI7900A, SI7900, SI790, SI79, SI7
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ied Electronics & Automation
SI7900AEDN-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor; 6 A; 20V; 8-Pin PowerPAK 1212
***Components
In a Pack of 10, Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212 Vishay SI7900AEDN-T1-GE3
***ical
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Integrated MOSFETs with Common Drain
Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2 and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.
Integrated MOSFET Solutions
Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density, increase efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SI7900AEDN-T1-GE3
DISTI # SI7900AEDN-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		6In Stock
  • 1000:$0.5778
  • 500:$0.7319
  • 100:$0.9438
  • 10:$1.1940
  • 1:$1.3500
SI7900AEDN-T1-GE3
DISTI # SI7900AEDN-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		6In Stock
  • 1000:$0.5778
  • 500:$0.7319
  • 100:$0.9438
  • 10:$1.1940
  • 1:$1.3500
SI7900AEDN-T1-GE3
DISTI # SI7900AEDN-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.5236
SI7900AEDN-T1-GE3
DISTI # SI7900AEDN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7900AEDN-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.4939
  • 6000:$0.4799
  • 12000:$0.4599
  • 18000:$0.4469
  • 30000:$0.4349
SI7900AEDN-T1-GE3
DISTI # 70617004		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
RoHS: Compliant		0
  • 300:$0.8200
  • 600:$0.7500
  • 1500:$0.6900
  • 3000:$0.6100
SI7900AEDN-T1-GE3
DISTI # 781-SI7900AEDN-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
RoHS: Compliant		2990
  • 1:$1.1900
  • 10:$0.9800
  • 100:$0.7520
  • 500:$0.6470
  • 1000:$0.5100
  • 3000:$0.4760
SI7900AEDN-T1-GE3Vishay Intertechnologies 960
    Immagine Parte # Descrizione
    SI7900AEDN-T1-E3

    Mfr.#: SI7900AEDN-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI7900AEDN-T1-E3

    		 MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
    SI7900AEDN-T1-GE3

    Mfr.#: SI7900AEDN-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7900AEDN-T1-GE3

    		 MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
    SI7900AEDN-T1-E3

    Mfr.#: SI7900AEDN-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI7900AEDN-T1-E3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 8.5A 1.5W
    SI7900AEDN-T1-GE3

    Mfr.#: SI7900AEDN-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7900AEDN-T1-GE3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 8.5A 3.1W 26mohm @ 4.5V
    SI7900AEDN

    Mfr.#: SI7900AEDN

    OMO.#: OMO-SI7900AEDN-1190

    		 Nuovo e originale
    SI7900AEDN-T

    Mfr.#: SI7900AEDN-T

    OMO.#: OMO-SI7900AEDN-T-1190

    		 Nuovo e originale
    SI7900AEDN-T1

    Mfr.#: SI7900AEDN-T1

    OMO.#: OMO-SI7900AEDN-T1-1190

    		 Nuovo e originale
    SI7900AEDN-T1-E3 GE3

    Mfr.#: SI7900AEDN-T1-E3 GE3

    OMO.#: OMO-SI7900AEDN-T1-E3-GE3-1190

    		 Nuovo e originale
    Disponibilità
    Azione:
    Available
    Su ordine:
    3000
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di SI7900AEDN-T1-GE3 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Prezzo di riferimento (USD)
    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    1
    0,65 USD
    0,65 USD
    10
    0,62 USD
    6,20 USD
    100
    0,59 USD
    58,71 USD
    500
    0,55 USD
    277,25 USD
    1000
    0,52 USD
    521,90 USD
    A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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