IXBH20N300

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

3 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.7 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

50 A

Pd - Dissipazione di potenza:

250 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

Tensione molto alta

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

50 A

Altezza:

21.46 mm

Lunghezza:

16.26 mm

Larghezza:

5.3 mm

Marca:

IXYS

Corrente di dispersione gate-emettitore:

+/- 100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

IGBT

Nome depositato:

BIMOSFET

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

IXBH20N3, IXBH20, IXBH2, IXBH, IXB