BU508AW

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

700 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

9 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1 V

Corrente massima del collettore CC:

15 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BU508AW

Altezza:

20.15 mm (Max)

Lunghezza:

15.75 mm (Max)

Confezione:

Tubo

Larghezza:

5.15 mm (Max)

Marca:

STMicroelectronics

Pd - Dissipazione di potenza:

125000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

600

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.229281 oz

Tags

BU508A, BU508, BU50, BU5