2N5786

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

T

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-39-3

Polarità del transistor:

NPN

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

45 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

3.5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1 V

Corrente massima del collettore CC:

3.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

4 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Serie:

2N5786

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120

Confezione:

Massa

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

4 at 1.6 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

10000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N5786 TIN/LEAD

Tags

2N5786, 2N578, 2N57, 2N5