ECH8501-TL-H

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

ECH-8

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V, - 30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

75 mV, - 100 mV

Corrente massima del collettore CC:

30 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

260 MHz, 280 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ECH8501

Guadagno di corrente CC hFE Max:

560 at 500 mA, 2 V

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200 at 500 mA, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1.6 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000638 oz

Tags

ECH85, ECH8, ECH